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NTMFS5C670NLT1G

NTMFS5C670NLT1G

厂商名称：ON安森美

NTMFS5C670NLT1G图片

元件分类：MOS管

中文描述：

功率场效应管，MOSFET，N沟道，60 V，71 A，0.0051 ohm，DFN，表面安装

英文描述：

Trans MOSFET N-CH 60V 17A 5-Pin(4+Tab)SO-FL T/R

数据手册：

在线购买：立即购买

NTMFS5C670NLT1G概述

NTMFS5C670NLT1G是单N沟道功率MOSFET，具有低RDS(on)，低输入电容，符合RoHS等特性。

其优势具有最小化传导损耗和最小化开关损耗。

应用领域：

高性能DC-DC转换器

负载模块点

网通/电信

服务器

NTMFS5C670NLT1G中文参数

通道类型	N	最大栅源电压	-20 V、+20 V
最大连续漏极电流	71 A	每片芯片元件数目	1
最大漏源电压	60 V	最低工作温度	-55 °C
封装类型	DFN	晶体管材料	Si
安装类型	表面贴装	宽度	6.1mm
引脚数目	5	高度	1.95mm
最大漏源电阻值	8.8 mΩ	典型栅极电荷@Vgs	20 nC @ 10 V，9 nC @ 4.5 V
通道模式	增强	最高工作温度	+175 °C
最大栅阈值电压	2V	长度	5.1mm
最大功率耗散	61 W	正向二极管电压	1.2V
晶体管配置	单

NTMFS5C670NLT1G引脚图

NTMFS5C670NLT1G引脚图

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